В обзоре рассмотрены преимущества использования в тензорезисторных преобразователях (ТП) механических величин полупроводниковых чувствительных элементов (ПЧЭ) на основе гетероэпитаксиальных структур «Кремний на сапфире» (КНС) по сравнению с широко распространёнными ПЧЭ на основе кремния. Описаны электрофизические свойства структур КНС и особенности тензорезистивного эффекта в КНС р-типа проводимости, важные для применения в ТП механических величин. Проведён анализ особенностей узких тензорезисторов в структурах КНС, характеристики которых зависят от соотношения ширины и толщины тензорезисторов. Рассмотрено влияние облучения на свойства структур КНС. Дано описание конструкций ТП на основе структур КНС, их метрологических характеристик. Указаны перспективы развития ТП механических величин на основе КНС.
Автор: В.М.Стучебников – Радиотехника и электроника, 2005, т.50, №6, с.678-696. (полный текст)